￥ 22.953

IXFN140N20P 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:

IXYS Semiconductor

分类:

MOS管

封装:

SOT-227-4

描述:

IXYS SEMICONDUCTOR IXFN140N20P 晶体管, MOSFET, 极性FET, N沟道, 140 A, 200 V, 18 mohm, 10 V, 5 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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IXFN140N20P 数据手册 (5 页)

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IXFN140N20P 技术参数、封装参数

类型

描述

引脚数

4 Pin

封装

SOT-227-4

通道数

1 Channel

针脚数

4 Position

漏源极电阻

0.018 Ω

极性

N-Channel

功耗

680 W

阈值电压

5 V

漏源极电压(Vds)

200 V

漏源击穿电压

200 V

连续漏极电流(Ids)

140 A

上升时间

35 ns

输入电容值(Ciss)

7500pF @25V(Vds)

下降时间

90 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

680000 mW

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IXFN140N20P 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

长度

38.23 mm

宽度

25.42 mm

高度

9.6 mm

工作温度

-55℃ ~ 175℃ (TJ)

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IXFN140N20P 符合标准

IXFN140N20P 概述

IXFN140N20P 数据手册

IXYS Semiconductor

5 页 / 0.09 MByte

IXFN140N20P 其他数据使用手册

IXYS Semiconductor

2 页 / 0.68 MByte

IXFN140N20 数据手册

IXFN140N20P 数据手册

IXYS Semiconductor

IXYS SEMICONDUCTOR IXFN140N20P 晶体管, MOSFET, 极性FET, N沟道, 140 A, 200 V, 18 mohm, 10 V, 5 V

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