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IPT012N08N5ATMA1 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

PG-HSOF-8-1

描述:

INFINEON IPT012N08N5ATMA1 晶体管, MOSFET, N沟道, 300 A, 80 V, 0.001 ohm, 10 V, 3 V 新

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

IPT012N08N5ATMA1 数据手册 (12 页)

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IPT012N08N5ATMA1 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

封装

PG-HSOF-8-1

额定功率

375 W

通道数

1 Channel

针脚数

8 Position

漏源极电阻

0.001 Ω

极性

N-Channel

功耗

375 W

阈值电压

3 V

漏源极电压(Vds)

80 V

连续漏极电流(Ids)

300A

上升时间

31 ns

输入电容值(Ciss)

17000pF @40V(Vds)

额定功率(Max)

375 W

下降时间

30 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

375W (Tc)

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IPT012N08N5ATMA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

10.58 mm

宽度

10.1 mm

高度

2.4 mm

工作温度

-55℃ ~ 175℃ (TJ)

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IPT012N08N5ATMA1 符合标准

IPT012N08N5ATMA1 概述

IPT012N08N5ATMA1 数据手册

Infineon（英飞凌）

12 页 / 1.19 MByte

IPT012N08N5ATMA1 产品设计参考手册

Infineon（英飞凌）

270 页 / 11.59 MByte

IPT012N08N5ATMA1 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

40 页 / 0.46 MByte

IPT012N08N5ATMA1 开发手册

Infineon（英飞凌）

37 页 / 2.01 MByte

IPT012N08N5ATMA1 产品封装文件

Infineon（英飞凌）

4 页 / 0.68 MByte

IPT012N08N5ATMA1 产品修订记录

Infineon（英飞凌）

1 页 / 0.13 MByte

IPT012N08N5 数据手册

Infineon（英飞凌）

80V,1.2mΩ,300A,N沟道功率MOSFET

IPT012N08N5ATMA1 数据手册

Infineon（英飞凌）

INFINEON IPT012N08N5ATMA1 晶体管, MOSFET, N沟道, 300 A, 80 V, 0.001 ohm, 10 V, 3 V 新

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