器件3D模型

￥ 0.808

CSD19537Q3T 数据手册 - TI（德州仪器）

制造商:

TI（德州仪器）

分类:

MOS管

封装:

VSON-8

描述:

TEXAS INSTRUMENTS CSD19537Q3T 晶体管, MOSFET, NexFET™, N沟道, 50 A, 100 V, 0.0121 ohm, 10 V, 3 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

CSD19537Q3T 数据手册 (13 页)

封装尺寸在8 页 11 页

CSD19537Q3T 数据手册 (13 页)

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CSD19537Q3T 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

封装

VSON-8

针脚数

8 Position

漏源极电阻

0.0121 Ω

极性

N-Channel

功耗

83 W

阈值电压

3 V

漏源极电压(Vds)

100 V

连续漏极电流(Ids)

50A

上升时间

3 ns

输入电容值(Ciss)

1680pF @50V(Vds)

下降时间

3 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

2.8W (Ta), 83W (Tc)

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CSD19537Q3T 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

材质

Silicon

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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CSD19537Q3T 符合标准

CSD19537Q3T 数据手册

TI（德州仪器）

13 页 / 0.49 MByte

CSD19537Q3T 开发手册

TI（德州仪器）

18 页 / 1.33 MByte

CSD19537Q3 数据手册

TI（德州仪器）

CSD19537Q3，100V N 沟道 NexFET(TM) 功率 MOSFET

CSD19537Q3T 数据手册

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TEXAS INSTRUMENTS CSD19537Q3T 晶体管, MOSFET, NexFET™, N沟道, 50 A, 100 V, 0.0121 ohm, 10 V, 3 V

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