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CSD95377Q4M
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  • 典型应用电路图在P9P10P11
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  • 封装尺寸在P1P19
  • 标记信息在P19
  • 封装信息在P19P20
  • 技术参数、封装参数在P4P5
  • 电气规格在P5
CSD95377Q4M数据手册
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V
CC
PWM1
+I
s1
-I
s2
-I
s2
+I
s2
PWM2
V
OUT
SS
RT
V
CC
V
OUT
V
OUT
V
IN
Multi-Phase
Controller
CSD95377Q4M
CSD95377Q4M
P
GND
Output Current (A)
Efficiency (%)
Power Loss (W)
0 5 10 15 20 25 30
40 0
50 1.5
60 3
70 4.5
80 6
90 7.5
100 9
D000
V
DD
= 5 V
V
IN
= 12 V
V
OUT
= 1.8 V
L
OUT
= 0.29 PH
f
SW
= 500 kHz
T
A
= 25qC
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An IMPORTANT NOTICE at the end of this data sheet addresses availability, warranty, changes, use in safety-critical applications,
intellectual property matters and other important disclaimers. PRODUCTION DATA.
English Data Sheet: SLPS584
CSD95377Q4M
ZHCSEI7 DECEMBER 2015
CSD95377Q4M 同步步降 NexFET™ 功率率级
1
1 特性
1
电流为 15A 时的效率约为 94%
最大额定持续电流为 30A
高频运行(高达 2MHz
高密度 3.5mm × 4.5mm 小外形尺寸无引线封装
(SON) 尺寸
超低电感封装
系统优化的 PCB 封装
3.3V 5V 脉宽调制 (PWM) 信号兼容
支持强制连续传导模式 (FCCM) 的二极管仿真模式
输入电压最高可达 16V
三态 PWM 输入
集成型自举二极管
击穿保护
符合 RoHS 绿色环保标准-无铅引脚镀层
无卤素
2 应用用范
服务器、网络互联和电信系统中的负载点同步降压
多相 Vcore、双倍数据速率 (DDR) 和图形解决方案
3 说明
CSD95377Q4M NexFET™功率级的设计经过高度优
化,适用于高功率、高密度同步降压转换器。这款产品
集成了驱动器集成电路 (IC) 和功率金属氧化物半导体
场效应晶体管 (MOSFET) 来完善功率级开关功能。此
驱动器 IC 内置可选二极管仿真功能。该功能支持器件
在断续传导模式 (DCM) 下运行,从而提升轻负载效
率。该组合采用 3.5mm x 4.5mm 小外形尺寸封装,可
提供高电流、高效率以及高速开关功能。此外,PCB
封装已经过优化,可帮助减少设计时间并简化总体系统
设计的完成。
器件件信
(1)
订货货编 封装 介质质和数量
CSD95377Q4M
SON 3.5mm x 4.5mm
塑料封装
13英寸卷带 2500
CSD95377Q4MT 7 英寸卷带 250
(1) 要了解所有可用封装,请见数据表末尾的可订购产品附录。
间隔
应用用图 典型型功率级级效率与功率率损

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TI(德州仪器)
20V 35A SON 3.5 x 4.5mm 同步降压 NexFET™ 功率级 8-VSON-CLIP -40 to 150
TI(德州仪器)
TEXAS INSTRUMENTS  CSD95377Q4MT  芯片, 同步降压稳压器, FET, 功率级, 5.5V, VSON-8 新
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