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FCH041N65EF_F155
9.848
FCH041N65EF_F155 数据手册 (9 页)
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FCH041N65EF_F155 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-247-3
针脚数
3 Position
漏源极电阻
0.036 Ω
极性
N-Channel
功耗
595 W
阈值电压
5 V
漏源极电压(Vds)
650 V
连续漏极电流(Ids)
76A
输入电容值(Ciss)
12560pF @100V(Vds)
工作温度(Max)
150 ℃
耗散功率(Max)
595W (Tc)

FCH041N65EF_F155 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

FCH041N65EF_F155 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
9 页 / 0.64 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
10 页 / 0.67 MByte

FCH041N65 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
FCH041N65EF-F155 管装
ON Semiconductor(安森美)
FCH041N65EFL4: 功率 MOSFET,N 沟道,SUPERFET? II,FRFET?,650 V,76 A,41 mΩ,TO-247 4L
Fairchild(飞兆/仙童)
Fairchild(飞兆/仙童)
Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FCH041N65EF_F155  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 76 A, 650 V, 0.036 ohm, 10 V, 5 V 新
Fairchild(飞兆/仙童)
SuperFET® 和 SuperFET® II N 通道 MOSFET,Fairchild SemiconductorFairchild 使用超级结技术增加了 SuperFET® II 高电压功率 MOSFET 系列。 它提供最佳坚固主体二极管性能,适用于要求高功率密度、系统效率和可靠性的交流-直流开关模式电源 (SMPS) 应用,如服务器、电信、计算、工业电源、UPS/ESS、太阳能逆变器和照明应用。 利用先进的电荷平衡技术,设计人员可实现更高效经济的高性能解决方案,可占用更少板空间并提高可靠性。### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor SuperFET II 系列 Si N沟道 MOSFET FCH041N65F_F155, 76 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-247封装
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