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FCP20N60FS
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FCP20N60FS数据手册
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5 www.fairchildsemi.com
FCP20N60 / FCPF20N60 Rev. A2
FCP20N60 / FCPF20N60 600V N-Channel MOSFET
Typical Performance Characteristics
(Continued)
Figure 11-1. Transient Thermal Response Curve for FCP20N60
Figure 11-2. Transient Thermal Response Curve for FCPF20N60
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
-2
10
-1
10
0
N otes :
1 . Z
θ
JC
(t) = 0.6
°
C/W Max.
2. Duty Factor, D=t
1
/t
2
3 . T
JM
- T
C
= P
DM
* Z
θ
JC
(t)
single pulse
D=0.5
0.02
0.2
0.05
0.1
0.01
Z
θ
JC
(t), Thermal Response
t
1
, Sq uare W ave P ulse D uration [sec]
t
1
P
DM
t
2
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
-2
10
-1
10
0
Notes :
1 . Z
θ JC
(t) =3.2
°
C/W Max.
2 . D uty F a c tor, D =t
1
/t
2
3 . T
JM
- T
C
= P
DM
* Z
θ JC
(t)
single pulse
D=0.5
0.02
0.2
0.05
0.1
0.01
Z
θ
JC
(t), Thermal Response
t
1
, Squa re W ave Pulse Duration [sec]
t
1
P
DM
t
2
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FCP20N60FS 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
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FCP20N60 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
SuperFET® 和 SuperFET® II N 通道 MOSFET,Fairchild SemiconductorFairchild 使用超级结技术增加了 SuperFET® II 高电压功率 MOSFET 系列。 它提供最佳坚固主体二极管性能,适用于要求高功率密度、系统效率和可靠性的交流-直流开关模式电源 (SMPS) 应用,如服务器、电信、计算、工业电源、UPS/ESS、太阳能逆变器和照明应用。 利用先进的电荷平衡技术,设计人员可实现更高效经济的高性能解决方案,可占用更少板空间并提高可靠性。### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
ON Semiconductor(安森美)
FCP20N60 系列 600 V 0.19 Ohm 通孔 N 沟道 Mosfet - TO-220
Fairchild(飞兆/仙童)
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