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FDB15N50
1.81
FDB15N50 数据手册 (8 页)
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FDB15N50 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
500 V
额定电流
15.0 A
封装
TO-263-3
额定功率
300 W
针脚数
3 Position
漏源极电阻
0.33 Ω
极性
N-Channel
功耗
300 W
阈值电压
3.4 V
输入电容
1.85 nF
栅电荷
33.0 nC
漏源极电压(Vds)
500 V
漏源击穿电压
500 V
栅源击穿电压
±30.0 V
连续漏极电流(Ids)
15.0 A
上升时间
5.4 ns
输入电容值(Ciss)
1850pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
300 W
下降时间
5 ns
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
300 W

FDB15N50 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
10.67 mm
宽度
11.33 mm
高度
4.83 mm
工作温度
-55℃ ~ 175℃

FDB15N50 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
8 页 / 0.56 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
6 页 / 0.34 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
1 页 / 0.07 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
7 页 / 0.87 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
1 页 / 0.03 MByte

FDB15 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDB15N50  晶体管, MOSFET, N沟道, 15 A, 500 V, 0.33 ohm, 10 V, 3.4 V
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor UniFET 系列 Si N沟道 MOSFET FDB15N50, 15 A, Vds=500 V, 3引脚 D2PAK (TO-263)封装
ON Semiconductor(安森美)
N沟道 100V 57A
Fairchild(飞兆/仙童)
N沟道MOSFET PowerTrench㈢ 100V , 57A , 15米ヘ N-Channel PowerTrench㈢ MOSFET 100V, 57A, 15mヘ
Hirose Electric(广濑)
FD型连接器用于带状电缆 FD TYPE CONNECTOR FOR RIBBON CABLE
Hirose Electric(广濑)
FD型连接器用于带状电缆 FD TYPE CONNECTOR FOR RIBBON CABLE
Hirose Electric(广濑)
Hirose Electric(广濑)
ON Semiconductor(安森美)
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