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FDMA86551L
0.37
FDMA86551L 数据手册 (6 页)
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FDMA86551L 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
6 Pin
封装
MicroFET-6
极性
N-CH
功耗
2.4 W
阈值电压
1.8 V
漏源极电压(Vds)
60 V
连续漏极电流(Ids)
7.5A
上升时间
1.7 ns
输入电容值(Ciss)
1235pF @30V(Vds)
下降时间
1.4 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
2.4W (Ta)

FDMA86551L 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
2 mm
宽度
2 mm
高度
0.75 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

FDMA86551L 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
6 页 / 0.36 MByte

FDMA86551 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
PowerTrench® N 通道 MOSFET,高达 9.9A,Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
ON Semiconductor(安森美)
PowerTrench® N 通道 MOSFET,高达 9.9A,Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 (>250V) 低电压 (<250V) 类型。 先进的硅技术提供更小的芯片尺寸,其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
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