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IPD60N10S4L12ATMA1 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

TO-252-3

描述:

晶体管, MOSFET, N沟道, 60 A, 100 V, 0.0098 ohm, 10 V, 1.6 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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IPD60N10S4L12ATMA1 数据手册 (9 页)

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IPD60N10S4L12ATMA1 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

TO-252-3

通道数

1 Channel

针脚数

3 Position

漏源极电阻

9.8 mΩ

极性

N-CH

功耗

94 W

阈值电压

1.6 V

漏源极电压(Vds)

100 V

漏源击穿电压

100 V

连续漏极电流(Ids)

60A

上升时间

3 ns

输入电容值(Ciss)

3170pF @25V(Vds)

下降时间

21 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

94W (Tc)

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IPD60N10S4L12ATMA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

6.5 mm

宽度

6.22 mm

高度

2.3 mm

工作温度

-55℃ ~ 175℃ (TJ)

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IPD60N10S4L12ATMA1 符合标准

IPD60N10S4L12ATMA1 数据手册

Infineon（英飞凌）

9 页 / 0.12 MByte

IPD60N10S4L12ATMA1 产品设计参考手册

Infineon（英飞凌）

138 页 / 12.05 MByte

IPD60N10S4L12ATMA1 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

28 页 / 4.06 MByte

IPD60N10S4L12ATMA1 开发手册

Infineon（英飞凌）

56 页 / 6.94 MByte

IPD60N10S4L12 数据手册

IPD60N10S4L-12 数据手册

Infineon（英飞凌）

场效应管(MOSFET) IPD60N10S4L-12 TO-252-3

IPD60N10S4L12ATMA1 数据手册

Infineon（英飞凌）

晶体管, MOSFET, N沟道, 60 A, 100 V, 0.0098 ohm, 10 V, 1.6 V

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