FDPF16N50UT参数_MOS管芯片中文资料_ON Semiconductor

FDPF16N50UT 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-220-3

功耗

38.5 W

输入电容

1495 pF

漏源极电压(Vds)

500 V

上升时间

150 ns

输入电容值(Ciss)

1495pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

38.5 W

下降时间

80 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

38.5 W

FDPF16N50UT 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Rail, Tube

长度

10.36 mm

宽度

4.9 mm

高度

16.07 mm

FDPF16N50UT 符合标准

FDPF16N50UT 概述

FDPF16N50UT 数据手册

FDPF16N50UT 其他数据使用手册

ON Semiconductor（安森美）

8 页 / 1.34 MByte

FDPF16N50 数据手册

Fairchild（飞兆/仙童）

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDPF16N50 晶体管, MOSFET, N沟道, 16 A, 500 V, 380 mohm, 10 V, 5 V

FDPF16N50 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

UniFET™ N 通道 MOSFET，Fairchild SemiconductorUniFET™ MOSFET 是 Fairchild Semiconductor 的高电压 MOSFET 系列。它平面 MOSFET 中具有最小通态电阻，还提供卓越的切换性能和较高雪崩能量强度。此外，内部栅极-源极 ESD 二极管让 UniFET-II™ MOSFET 可以耐受超过 2000V HBM 浪涌应力。 UniFET™ MOSFET 适用于开关电源转换器应用，如功率因数校正 (PFC)、平板显示屏 (FPD) 电视电源、ATX（先进技术扩展）和电子灯镇流器。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (<250V) 类型。先进的硅技术提供更小的芯片尺寸，其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。

FDPF16N50UT 数据手册

Fairchild（飞兆/仙童）

UniFET™ N 通道 MOSFET，Fairchild SemiconductorUniFET™ MOSFET 是 Fairchild Semiconductor 的高电压 MOSFET 系列。它平面 MOSFET 中具有最小通态电阻，还提供卓越的切换性能和较高雪崩能量强度。此外，内部栅极-源极 ESD 二极管让 UniFET-II™ MOSFET 可以耐受超过 2000V HBM 浪涌应力。 UniFET™ MOSFET 适用于开关电源转换器应用，如功率因数校正 (PFC)、平板显示屏 (FPD) 电视电源、ATX（先进技术扩展）和电子灯镇流器。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。

FDPF16N50T 数据手册

Fairchild（飞兆/仙童）

UniFET™ N 通道 MOSFET，Fairchild SemiconductorUniFET™ MOSFET 是 Fairchild Semiconductor 的高电压 MOSFET 系列。它平面 MOSFET 中具有最小通态电阻，还提供卓越的切换性能和较高雪崩能量强度。此外，内部栅极-源极 ESD 二极管让 UniFET-II™ MOSFET 可以耐受超过 2000V HBM 浪涌应力。 UniFET™ MOSFET 适用于开关电源转换器应用，如功率因数校正 (PFC)、平板显示屏 (FPD) 电视电源、ATX（先进技术扩展）和电子灯镇流器。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。

FDPF16N50T 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

UniFET™ N 通道 MOSFET，Fairchild SemiconductorUniFET™ MOSFET 是 Fairchild Semiconductor 的高电压 MOSFET 系列。它平面 MOSFET 中具有最小通态电阻，还提供卓越的切换性能和较高雪崩能量强度。此外，内部栅极-源极 ESD 二极管让 UniFET-II™ MOSFET 可以耐受超过 2000V HBM 浪涌应力。 UniFET™ MOSFET 适用于开关电源转换器应用，如功率因数校正 (PFC)、平板显示屏 (FPD) 电视电源、ATX（先进技术扩展）和电子灯镇流器。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (<250V) 类型。先进的硅技术提供更小的芯片尺寸，其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。

FDPF16N50UT 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

ON Semiconductor UniFET 系列 Si N沟道 MOSFET FDPF16N50UT, 15 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-220F封装

FDPF16N50TRDTU 数据手册

Fairchild（飞兆/仙童）

FDPF16N50T_12 数据手册

Fairchild（飞兆/仙童）

500V N沟道MOSFET 500V N-Channel MOSFET

FDPF16N50UT 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

FDPF16N50UT 数据手册

FDPF16N50UT 数据手册 (8 页)

FDPF16N50UT 技术参数、封装参数

FDPF16N50UT 外形尺寸、物理参数、其它

FDPF16N50UT 符合标准

FDPF16N50UT 概述

FDPF16N50UT 数据手册

FDPF16N50 数据手册

器件 Datasheet 文档搜索

关联型号