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IPD80R1K0CEATMA1 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

TO-252-3

描述:

INFINEON IPD80R1K0CEATMA1 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 5.7 A, 800 V, 0.8 ohm, 10 V, 3 V 新

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

IPD80R1K0CEATMA1 数据手册 (15 页)

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IPD80R1K0CEATMA1 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

TO-252-3

额定功率

83 W

通道数

1 Channel

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.8 Ω

极性

N-Channel

功耗

83 W

阈值电压

3 V

漏源极电压(Vds)

800 V

漏源击穿电压

800 V

连续漏极电流(Ids)

5.7A

上升时间

15 ns

输入电容值(Ciss)

785pF @100V(Vds)

下降时间

8 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

83 W

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IPD80R1K0CEATMA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

6.73 mm

宽度

6.22 mm

高度

2.41 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃

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IPD80R1K0CEATMA1 符合标准

IPD80R1K0CEATMA1 概述

IPD80R1K0CEATMA1 数据手册

Infineon（英飞凌）

15 页 / 2.26 MByte

IPD80R1K0CEATMA1 产品设计参考手册

Infineon（英飞凌）

270 页 / 11.59 MByte

IPD80R1K0CEATMA1 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

52 页 / 3.25 MByte

IPD80R1K0CEATMA1 开发手册

Infineon（英飞凌）

37 页 / 2.01 MByte

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