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BSZ520N15NS3GATMA1
0.564
BSZ520N15NS3GATMA1 数据手册 (9 页)
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BSZ520N15NS3GATMA1 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
封装
PG-TSDSON
额定功率
57 W
通道数
1 Channel
针脚数
8 Position
漏源极电阻
0.042 Ω
极性
N-Channel
功耗
57 W
阈值电压
3 V
漏源极电压(Vds)
150 V
漏源击穿电压
150 V
连续漏极电流(Ids)
21A
上升时间
5 ns
输入电容值(Ciss)
670pF @75V(Vds)
下降时间
3 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
57 W

BSZ520N15NS3GATMA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
3.3 mm
宽度
3.3 mm
高度
1.1 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃

BSZ520N15NS3GATMA1 数据手册

Infineon(英飞凌)
9 页 / 0.6 MByte
Infineon(英飞凌)
270 页 / 11.59 MByte
Infineon(英飞凌)
40 页 / 0.46 MByte
Infineon(英飞凌)
37 页 / 2.01 MByte

BSZ520N15NS3 数据手册

Infineon(英飞凌)
INFINEON  BSZ520N15NS3 G  晶体管, MOSFET, N沟道, 21 A, 150 V, 0.042 ohm, 10 V, 3 V
Infineon(英飞凌)
INFINEON  BSZ520N15NS3GATMA1  晶体管, MOSFET, N沟道, 21 A, 150 V, 0.042 ohm, 10 V, 3 V
Infineon(英飞凌)
OptiMOSTM3功率三极管 OptiMOSTM3 Power-Transistor
Infineon(英飞凌)
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