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IPP90R800C3XKSA2 数据手册 - Infineon（英飞凌）
制造商:
Infineon（英飞凌）
封装:
TO-220
描述:
晶体管, MOSFET, N沟道, 6.9 A, 900 V, 0.62 ohm, 10 V, 3 V
Pictures:
3D模型
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
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功能描述在P1
电气规格在P2
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IPP90R800C3XKSA2数据手册
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IPP90R800C3
5 Typ. output characteristics 6 Typ. drain-source on-state resistance
I
D
=f(V
DS
); T
J
=150 °C R
DS(on)
=f(I
D
); T
J
=150 °C
parameter: V
GS
parameter: V
GS
7 Drain-source on-state resistance 8 Typ. transfer characteristics
R
DS(on)
=f(T
J
); I
D
=4.1 A; V
GS
=10 V I
D
=f(V
GS
); V
DS
=20V
parameter: T
J
typ
98 %
0
0.5
1
1.5
2
2.5
-60 -20 20 60 100 140 180
T
J
[°C]
R
DS(on)
[
Ω
]
25 °C
150 °C
0
5
10
15
20
0246810
V
GS
[V]
I
D
[A]
4 V
4.5 V
5 V
6 V
8 V
10 V
20 V
0
2
4
6
8
10
0 5 10 15 20 25
V
DS
[V]
I
D
[A]
4 V
4.5 V
4.8 V
5 V
10 V
0
2
4
6
8
10
02468101214
I
D
[A]
R
DS(on)
[
Ω
]
Rev. 1.0 page 5 2008-07-30
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