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IR2114SSPBF
器件3D模型
3.947
IR2114SSPBF 数据手册 (33 页)
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IR2114SSPBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
24 Pin
电源电压
11.5V (min)
封装
SSOP-24
上升/下降时间
24ns, 7ns
输出接口数
2 Output
输出电压
620 V
输出电流
1 A
针脚数
24 Position
功耗
1.5 W
上升时间
24 ns
下降时间
7 ns
下降时间(Max)
7 ns
上升时间(Max)
24 ns
工作温度(Max)
125 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
耗散功率(Max)
1500 mW
电源电压
11.5V ~ 20V
电源电压(Max)
20 V
电源电压(Min)
11.5 V

IR2114SSPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
长度
8.2 mm
宽度
5.3 mm
高度
1.75 mm
工作温度
-40℃ ~ 150℃ (TJ)

IR2114SSPBF 数据手册

Infineon(英飞凌)
33 页 / 0.69 MByte
Infineon(英飞凌)
48 页 / 7.29 MByte
Infineon(英飞凌)
73 页 / 2.93 MByte
Infineon(英飞凌)
30 页 / 0.41 MByte
Infineon(英飞凌)
5 页 / 0.32 MByte

IR2114 数据手册

Infineon(英飞凌)
INFINEON  IR2114SSPBF  芯片, 半桥驱动器, 600V
Infineon(英飞凌)
P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
MOSFET 和 IGBT 栅极驱动器,半桥,InfineonInfineon 系列高电压端和低电压端半桥 MOSFET 和 IGBT 栅极驱动器 IC栅极驱动电源范围从 6 V 到 20 V CMOS 施密特触发器输入 两个独立的栅极驱动器 匹配的传播延迟,用于两个通道 输出相位,带输入 无铅,符合 RoHS ### MOSFET 和 IGBT 驱动器,Infineon (International Rectifier)
International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
门驱动器 600V Hlf Brdg Drvr IC for Pwr Swtch App
International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
International Rectifier(国际整流器)
International Rectifier(国际整流器)
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