Web Analytics
Datasheet 搜索 > MOS管 > Infineon(英飞凌) > IRF1407STRRPBF 数据手册 > IRF1407STRRPBF 数据手册 5/13 页
IRF1407STRRPBF
14.046
导航目录
  • 封装尺寸在P9P10
  • 标记信息在P9P10
  • 封装信息在P1
  • 技术参数、封装参数在P1
  • 电气规格在P2
IRF1407STRRPBF数据手册
Page:
of 13 Go
若手册格式错乱,请下载阅览PDF原文件
IRF1407S/LPbF
5 2016-5-26
Fig 11. Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case
Fig 9. Maximum Drain Current vs. Case Temperature
Fig 10a. Switching Time Test Circuit
Fig 10b. Switching Time Waveforms
25 50 75 100 125 150 175
0
20
40
60
80
100
120
T , Case Temperature ( C)
I , Drain Current (A)
°
C
D
LIMITED BY PACKAGE
0.01
0.1
1
0.00001 0.0001 0.001 0.01 0.1 1
Notes:
1. Duty f actor D = t / t
2. Peak T = P x Z + T
1 2
J DM thJC C
P
t
t
DM
1
2
t , Rectangular Pulse Duration (sec)
Thermal Response (Z )
1
thJC
0.01
0.02
0.05
0.10
0.20
D = 0.50
SINGLE PULSE
(THERMAL RESPONSE)

IRF1407STRRPBF 数据手册

Infineon(英飞凌)
13 页 / 0.54 MByte
Infineon(英飞凌)
270 页 / 11.59 MByte
Infineon(英飞凌)
30 页 / 0.64 MByte
Infineon(英飞凌)
2 页 / 0.17 MByte
Infineon(英飞凌)
37 页 / 2.01 MByte

IRF1407 数据手册

Infineon(英飞凌)
International Rectifier(国际整流器)
IRF
功率MOSFET ( VDSS = 75V , RDS(ON) = 0.0078ohm ,ID = 130A ) Power MOSFET(Vdss=75V, Rds(on)=0.0078ohm, Id=130A)
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRF1407PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 130 A, 75 V, 7.8 mohm, 10 V, 4 V
Infineon(英飞凌)
HEXFET® N 通道功率 MOSFET 超过 55A,Infineon### MOSFET 晶体管,Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
International Rectifier(国际整流器)
INTERNATIONAL RECTIFIER  IRF1407PBF  场效应管, N 通道, MOSFET, 75V, 130A, TO-220AB 新
Infineon(英飞凌)
International Rectifier(国际整流器)
International Rectifier(国际整流器)
International Rectifier(国际整流器)
器件 Datasheet 文档搜索
器件加载中...
AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册,每天更新 5,000 多个 PDF 文件