Datasheet 搜索 > N沟道MOS管 > International Rectifier（国际整流器） > IRF2804S 数据手册 > IRF2804S 数据手册 4/13 页
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IRF2804S 数据手册 - International Rectifier（国际整流器）
制造商:
International Rectifier（国际整流器）
分类:
N沟道MOS管
封装:
TO-263
Pictures:
3D模型
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
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封装尺寸在P9P10P11
标记信息在P9P10P11
技术参数、封装参数在P1
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IRF2804S数据手册
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IRF2804/S/L
4 www.irf.com
Fig 8. Maximum Safe Operating Area
Fig 6. Typical Gate Charge vs.
Gate-to-Source Voltage
Fig 5. Typical Capacitance vs.
Drain-to-Source Voltage
Fig 7. Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
0 1 10 100 1000
V
DS
, Drain-toSource Voltage (V)
1
10
100
1000
10000
I
D
,
D
r
a
i
n
-
t
o
-
S
o
u
r
c
e
C
u
r
r
e
n
t
(
A
)
Tc = 25°C
Tj = 175°C
Single Pulse
1msec
10msec
OPERATION IN THIS AREA
LIMITED BY R
DS
(on)
100µsec
1 10 100
V
DS
, Drain-to-Source Voltage (V)
0
2000
4000
6000
8000
10000
12000
C
,
C
a
p
a
c
i
t
a
n
c
e
(
p
F
)
Coss
Crss
Ciss
V
GS
= 0V, f = 1 MHZ
C
iss
= C
gs
+ C
gd
, C
ds
SHORTED
C
rss
= C
gd
C
oss
= C
ds
+ C
gd
0 40 80 120 160 200 240
Q
G
Total Gate Charge (nC)
0
4
8
12
16
20
V
G
S
,
G
a
t
e
-
t
o
-
S
o
u
r
c
e
V
o
l
t
a
g
e
(
V
)
V
DS
= 32V
VDS= 20V
VDS= 8.0V
I
D
= 75A
0.2 0.6 1.0 1.4 1.8 2.2
V
SD
, Source-toDrain Voltage (V)
0.1
1.0
10.0
100.0
1000.0
I
S
D
,
R
e
v
e
r
s
e
D
r
a
i
n
C
u
r
r
e
n
t
(
A
)
T
J
= 25°C
T
J
= 175°C
V
GS
= 0V
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