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￥ 2.274
IRF3709ZPBF 数据手册 - Infineon（英飞凌）
制造商:
Infineon（英飞凌）
分类:
MOS管
封装:
TO-220-3
描述:
N 通道功率 MOSFET 80A 至 99A，InfineonInfineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。
Pictures:
3D模型
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
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封装尺寸在P9P10P11
标记信息在P9P10P11
技术参数、封装参数在P1
应用领域在P1
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IRF3709ZPBF数据手册
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www.irf.com 1
6/30/04
IRF3709ZPbF
IRF3709ZSPbF
IRF3709ZLPbF
HEXFET
®
Power MOSFET
Notes through are on page 12
Applications
Benefits
l Low R
DS(on)
at 4.5V V
GS
l Low Gate Charge
l Fully Characterized Avalanche Voltage
and Current
l High Frequency Synchronous Buck
Converters for Computer Processor Power
l Lead-Free
PD -95465
V
DSS
R
DS(on)
max
Qg
30V
6.3m
:
17nC
D
2
Pak
IRF3709ZS
TO-220AB
IRF3709Z
TO-262
IRF3709ZL
Absolute Maximum Ratin
g
s
Parameter Units
V
DS
Drain-to-Source Voltage V
V
GS
Gate-to-Source Voltage
I
D
@ T
C
= 25°C
Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
A
I
D
@ T
C
= 100°C
Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
I
DM
Pulsed Drain Current
c
P
D
@T
C
= 25°C
Maximum Power Dissipation W
P
D
@T
C
= 100°C
Maximum Power Dissipation
Linear Derating Factor W/°C
T
J
Operating Junction and °C
T
STG
Storage Temperature Range
Soldering Temperature, for 10 seconds
Mounting Torque, 6-32 or M3 screw
Thermal Resistance
Parameter Typ. Max. Units
R
θ
JC
Junction-to-Case
i
––– 1.89 °C/W
R
θ
JA
Junction-to-Ambient (PCB Mount)
g
––– 40
300 (1.6mm from case)
-55 to + 175
10 lbf
y
in (1.1N
y
m)
79
0.53
40
Max.
87
h
62
h
350
± 20
30
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