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IRF3808S 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

封装:

TO-263

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

IRF3808S 数据手册 (12 页)

封装尺寸在9 页

IRF3808S 数据手册 (12 页)

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IRF3808S 技术参数、封装参数

类型

描述

引脚数

3 Pin

封装

TO-263

极性

N-CH

漏源极电压(Vds)

75 V

连续漏极电流(Ids)

106A

上升时间

140 ns

输入电容值(Ciss)

5310pF @25V(Vds)

下降时间

120 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

200000 mW

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IRF3808S 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Not Recommended for New Designs

包装方式

Tape & Reel (TR)

材质

Silicon

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IRF3808S 符合标准

IRF3808S 数据手册

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