￥ 0.751

IRF3808SPBF 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

TO-263-3

描述:

INFINEON IRF3808SPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 106 A, 75 V, 7 mohm, 10 V, 4 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

IRF3808SPBF 数据手册 (12 页)

封装尺寸在9 页 10 页

典型应用电路图在1 页

IRF3808SPBF 数据手册 (12 页)

查看文档

或点击图片查看大图

IRF3808SPBF 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

TO-263-3

额定功率

200 W

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.007 Ω

极性

N-Channel

功耗

200 W

阈值电压

4 V

漏源极电压(Vds)

75 V

连续漏极电流(Ids)

106A

上升时间

140 ns

输入电容值(Ciss)

5310pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

200 W

下降时间

120 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

200W (Tc)

查看数据手册 >

IRF3808SPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Not Recommended for New Designs

包装方式

Tube

长度

10.67 mm

宽度

11.43 mm

高度

4.83 mm

工作温度

-55℃ ~ 175℃ (TJ)

查看数据手册 >

IRF3808SPBF 符合标准

IRF3808SPBF 概述

IRF3808SPBF 数据手册

Infineon（英飞凌）

12 页 / 0.25 MByte

IRF3808SPBF 产品设计参考手册

Infineon（英飞凌）

270 页 / 11.59 MByte

IRF3808SPBF 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

30 页 / 0.64 MByte

IRF3808SPBF 产品设计图

Infineon（英飞凌）

2 页 / 0.17 MByte

IRF3808SPBF 开发手册

Infineon（英飞凌）

37 页 / 2.01 MByte

IRF3808SPBF 产品修订记录

Infineon（英飞凌）

12 页 / 0.56 MByte

IRF3808 数据手册

Infineon（英飞凌）

IRF3808 数据手册

International Rectifier（国际整流器）

IRF3808 数据手册

IRF

功率MOSFET （ VDSS = 75V ， RDS（ON） = 0.007ohm ，ID = 140A ） Power MOSFET(Vdss=75V, Rds(on)=0.007ohm, Id=140A)

IRF3808PBF 数据手册

Infineon（英飞凌）

HEXFET® N 通道功率 MOSFET 超过 55A，Infineon### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。

IRF3808PBF 数据手册

International Rectifier（国际整流器）

N沟道,75V,140A,7mΩ@10V

IRF3808STRRPBF 数据手册

Infineon（英飞凌）

场效应管(MOSFET) IRF3808STRRPBF D2PAK

IRF3808STRLPBF 数据手册

Infineon（英飞凌）

IRF3808SPBF 数据手册

International Rectifier（国际整流器）

N沟道 75V 106A

IRF3808SPBF 数据手册