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器件3D模型￥ 2.861
IRF5210STRLPBF 数据手册 - Infineon（英飞凌）
制造商:
Infineon（英飞凌）
分类:
MOS管
封装:
TO-263-3
描述:
INFINEON IRF5210STRLPBF 场效应管, MOSFET, P沟道, -100V, 40A D2-PAK, 整卷
Pictures:
3D模型
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
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封装尺寸在P8P9
标记信息在P8P9
技术参数、封装参数在P1
电气规格在P2
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IRF5210STRLPBF数据手册
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IRF5210S/LPbF
www.irf.com 3
Fig 4. Normalized On-Resistance
vs. Temperature
Fig 2. Typical Output CharacteristicsFig 1. Typical Output Characteristics
Fig 3. Typical Transfer Characteristics
0.1 1 10 100
-V
DS
, Drain-to-Source Voltage (V)
0.1
1
10
100
1000
-
I
D
,
D
r
a
i
n
-
t
o
-
S
o
u
r
c
e
C
u
r
r
e
n
t
(
A
)
VGS
TOP -15V
-10V
-8.0V
-7.0V
-6.0V
-5.5V
-5.0V
BOTTOM -4.5V
≤
60µs PULSE WIDTH
Tj = 25°C
-4.5V
0.1 1 10 100
-V
DS
, Drain-to-Source Voltage (V)
0.1
1
10
100
1000
-
I
D
,
D
r
a
i
n
-
t
o
-
S
o
u
r
c
e
C
u
r
r
e
n
t
(
A
)
-4.5V
≤
60µs PULSE WIDTH
Tj = 150°C
VGS
TOP -15V
-10V
-8.0V
-7.0V
-6.0V
-5.5V
-5.0V
BOTTOM -4.5V
2 4 6 8 10 12 14
-V
GS
, Gate-to-Source Voltage (V)
0.1
1
10
100
1000
-
I
D
,
D
r
a
i
n
-
t
o
-
S
o
u
r
c
e
C
u
r
r
e
n
t
(
A
)
T
J
= 25°C
T
J
= 150°C
V
DS
= -50V
≤60µs PULSE WIDTH
-60 -40 -20 0 20 40 60 80 100120140160180
T
J
, Junction Temperature (°C)
0.5
1.0
1.5
2.0
R
D
S
(
o
n
)
,
D
r
a
i
n
-
t
o
-
S
o
u
r
c
e
O
n
R
e
s
i
s
t
a
n
c
e
(
N
o
r
m
a
l
i
z
e
d
)
I
D
= -38A
V
GS
= -10V
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