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IRF640NSPBF
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IRF640NSPBF 数据手册 (12 页)
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IRF640NSPBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
200 V
额定电流
18.0 A
封装
TO-263-3
针脚数
3 Position
漏源极电阻
0.15 Ω
极性
N-Channel
功耗
150 W
零部件系列
IRF640NS
阈值电压
4 V
漏源极电压(Vds)
200 V
漏源击穿电压
200 V
连续漏极电流(Ids)
18.0 A
上升时间
19 ns
输入电容值(Ciss)
1160pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
150 W
下降时间
5.5 ns
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
150000 mW

IRF640NSPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube

IRF640NSPBF 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
12 页 / 0.23 MByte
International Rectifier(国际整流器)
1 页 / 0.42 MByte
International Rectifier(国际整流器)
12 页 / 0.68 MByte
International Rectifier(国际整流器)
3 页 / 0.05 MByte

IRF640 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
N - CHANNEL 200V - 0.150ohm - 18A TO- 220 / TO- 220FP MESH合成] MOSFET N - CHANNEL 200V - 0.150ohm - 18A TO-220/TO-220FP MESH OVERLAY] MOSFET
International Rectifier(国际整流器)
Vishay Siliconix
Fairchild(飞兆/仙童)
18A , 200V , 0.180 Ohm的N通道功率MOSFET 18A, 200V, 0.180 Ohm, N-Channel Power MOSFETs
VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
Vishay Semiconductor(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
ON Semiconductor(安森美)
NXP(恩智浦)
N沟道晶体管的TrenchMOS N-channel TrenchMOS transistor
Infineon(英飞凌)
Samsung(三星)
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