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IRF640SPBF
1.172
IRF640SPBF 数据手册 (8 页)
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IRF640SPBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
封装
TO-263-3
漏源极电阻
180 mΩ
功耗
3.1W (Ta), 130W (Tc)
阈值电压
4 V
漏源极电压(Vds)
200 V
输入电容值(Ciss)
1300pF @25V(Vds)
耗散功率(Max)
3.1W (Ta), 130W (Tc)

IRF640SPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

IRF640SPBF 数据手册

Vishay Siliconix
8 页 / 0.16 MByte
Vishay Siliconix
3 页 / 0.06 MByte

IRF640 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
N - CHANNEL 200V - 0.150ohm - 18A TO- 220 / TO- 220FP MESH合成] MOSFET N - CHANNEL 200V - 0.150ohm - 18A TO-220/TO-220FP MESH OVERLAY] MOSFET
International Rectifier(国际整流器)
Vishay Siliconix
Fairchild(飞兆/仙童)
18A , 200V , 0.180 Ohm的N通道功率MOSFET 18A, 200V, 0.180 Ohm, N-Channel Power MOSFETs
VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
Vishay Semiconductor(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
ON Semiconductor(安森美)
NXP(恩智浦)
N沟道晶体管的TrenchMOS N-channel TrenchMOS transistor
Infineon(英飞凌)
Samsung(三星)
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