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IRFB3307Z
0.471
IRFB3307Z 数据手册 (12 页)
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IRFB3307Z 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
封装
TO-220
极性
N-CH
漏源极电压(Vds)
75 V
连续漏极电流(Ids)
120A

IRFB3307Z 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active

IRFB3307Z 数据手册

Infineon(英飞凌)
12 页 / 0.32 MByte
Infineon(英飞凌)
270 页 / 11.59 MByte
Infineon(英飞凌)
30 页 / 0.64 MByte
Infineon(英飞凌)
37 页 / 2.01 MByte

IRFB3307 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
IRF
HEXFET功率MOSFET HEXFET Power MOSFET
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRFB3307ZPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 120 A, 75 V, 5.8 mohm, 10 V, 4 V
International Rectifier(国际整流器)
75V,5.8mΩ,120A,N沟道功率MOSFET
Infineon(英飞凌)
HEXFET® N 通道功率 MOSFET 超过 55A,Infineon
International Rectifier(国际整流器)
International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
N 沟道 75 V 230 W 79 nC 功率 MosFet 法兰安装 - TO-220AB-3
International Rectifier(国际整流器)
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