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IRF7343QPBF
器件3D模型
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IRF7343QPBF 数据手册 (10 页)
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IRF7343QPBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
封装
SOIC-8
额定功率
2 W
极性
N-Channel
零部件系列
IRF7343Q
漏源极电压(Vds)
55.0 V
连续漏极电流(Ids)
4.70 A

IRF7343QPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active

IRF7343QPBF 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
10 页 / 0.23 MByte

IRF7343 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
IRF
HEXFET功率MOSFET HEXFET Power MOSFET
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRF7343TRPBF  双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 4.7 A, 55 V, 0.043 ohm, 10 V, 1 V
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRF7343PBF  双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 4.7 A, 55 V, 50 mohm, 10 V, 1 V
International Rectifier(国际整流器)
MOS全桥,55V/4.7A(-55V/-3.4A)
International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
International Rectifier(国际整流器)
International Rectifier(国际整流器)
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