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IRF840BPBF
0.416
IRF840BPBF 数据手册 (8 页)
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IRF840BPBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-220-3
针脚数
3 Position
漏源极电阻
0.7 Ω
极性
N-Channel
功耗
156 W
阈值电压
5 V
漏源极电压(Vds)
500 V
连续漏极电流(Ids)
4.5A
上升时间
16 ns
下降时间
11 ns
工作温度(Max)
150 ℃

IRF840BPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
包装方式
Tube
工作温度
-55℃ ~ 150℃
最小包装数量
50

IRF840BPBF 数据手册

VISHAY(威世)
8 页 / 0.27 MByte
VISHAY(威世)
11 页 / 0.65 MByte

IRF840 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
N沟道增强型功率MOS晶体管 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS
International Rectifier(国际整流器)
VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
Vishay Semiconductor(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
Vishay Siliconix
Motorola(摩托罗拉)
N沟道 500V 8A
CJ(长电科技)
MOS场效应管 IRF840 TO-220-3L
TI(德州仪器)
0.9 -A恒流电源带PFC的100W的LED A 0.9-A Constant Current Supply with PFC for 100-W LED
Advanced Power Electronics(富鼎先进电子)
VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
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