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IRF840SPBF
1.11
IRF840SPBF 数据手册 (9 页)
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IRF840SPBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
TO-263-3
额定功率
125 W
漏源极电阻
850 mΩ
极性
N-Channel
功耗
3.1 W
漏源极电压(Vds)
500 V
连续漏极电流(Ids)
8.00 A
输入电容值(Ciss)
1300pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
3.1 W
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
3.1W (Ta), 125W (Tc)

IRF840SPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
长度
10.41 mm
宽度
9.65 mm
高度
4.83 mm
最小包装数量
50

IRF840SPBF 数据手册

VISHAY(威世)
9 页 / 0.2 MByte
VISHAY(威世)
9 页 / 0.25 MByte
VISHAY(威世)
12 页 / 0.75 MByte

IRF840 数据手册

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International Rectifier(国际整流器)
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Vishay Semiconductor(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
Vishay Siliconix
Motorola(摩托罗拉)
N沟道 500V 8A
CJ(长电科技)
MOS场效应管 IRF840 TO-220-3L
TI(德州仪器)
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Advanced Power Electronics(富鼎先进电子)
VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
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