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IRF840LCPBF 数据手册 - Vishay Siliconix

制造商:

Vishay Siliconix

分类:

MOS管

封装:

TO-220-3

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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IRF840LCPBF 数据手册 (9 页)

封装尺寸在8 页

IRF840LCPBF 数据手册 (9 页)

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IRF840LCPBF 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

封装

TO-220-3

漏源极电阻

850 mΩ

功耗

125000 mW

阈值电压

4 V

漏源极电压(Vds)

500 V

上升时间

25 ns

输入电容值(Ciss)

1100pF @25V(Vds)

下降时间

19 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

55 ℃

耗散功率(Max)

125W (Tc)

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IRF840LCPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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IRF840LCPBF 符合标准

IRF840LCPBF 概述

IRF840LCPBF 数据手册

Vishay Siliconix

9 页 / 0.26 MByte

IRF840LCPBF 其他数据使用手册

Vishay Siliconix

9 页 / 0.26 MByte

IRF840LCPBF 产品修订记录

Vishay Siliconix

2 页 / 0.06 MByte

IRF840LCPBF 其他参考文件

Vishay Siliconix

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