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IRF9410PBF
器件3D模型
1.703
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IRF9410PBF数据手册
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IRF9410PbF
www.irf.com 3
Fig 3. Typical Transfer Characteristics
Fig 2. Typical Output Characteristics
Fig 1. Typical Output Characteristics
1
10
100
0.1 1 10
20µs PULSE WIDTH
T = 25°C
A
J
DS
V , Drain-to-Source Voltage (V)
3.0V
VGS
TOP 15V
10V
7.0V
5.5V
4.5V
4.0V
3.5V
BOTTOM 3.0V
D
I , Drain-to-Source Current (A)
1
10
100
0.1 1 10
A
DS
V , Drain-to-Source Voltage (V)
D
I , Drain-to-Source Current (A)
20µs PULSE WIDTH
T = 150°C
J
3.0V
VGS
TOP 15V
10V
7.0V
5.5V
4.5V
4.0V
3.5V
BOTTOM 3.0V
1
10
100
3.0 3.5 4.0 4.5 5.0 5.5
T = 25°C
T = 150°C
J
J
GS
V , Gate-to-Source Voltage (V)
D
I , Drain-to-Source Current (A)
A
V = 10V
20µs PULSE WIDTH
DS
Fig 4. Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
0.1
1
10
100
0.4 0.6 0.8 1.0 1.
2
T = 25°C
T = 150°C
J
J
V = 0V
GS
V , Source-to-Drain Voltage (V)
I , Reverse Drain Current (A)
SD
SD
A

IRF9410PBF 数据手册

Infineon(英飞凌)
7 页 / 0.16 MByte
Infineon(英飞凌)
270 页 / 11.59 MByte
Infineon(英飞凌)
27 页 / 0.3 MByte
Infineon(英飞凌)
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IRF9410 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
IRF
功率MOSFET ( VDSS = 30V , RDS(ON) = 0.030ohm ) Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)=0.030ohm)
Infineon(英飞凌)
IRF9410TRPBF 编带
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRF9410PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 7 A, 30 V, 30 mohm, 10 V, 1 V
International Rectifier(国际整流器)
INTERNATIONAL RECTIFIER  IRF9410PBF  场效应管, N 通道, MOSFET, 30V, 7A, SOICSIS 新
International Rectifier(国际整流器)
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