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器件3D模型￥ 1.703
IRF9410PBF 数据手册 - Infineon（英飞凌）
制造商:
Infineon（英飞凌）
分类:
MOS管
封装:
SOIC-8
描述:
INFINEON IRF9410PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 7 A, 30 V, 30 mohm, 10 V, 1 V
Pictures:
3D模型
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
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IRF9410PBF数据手册
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IRF9410PbF
4 www.irf.com
Fig 5. Normalized On-Resistance
Vs. Temperature
Fig 8. Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
0
40
80
120
160
200
25 50 75 100 125 150
J
E , Single Pulse Avalanche Energy (mJ)
AS
A
Starting T , Junction Temperature (°C)
I
TOP 2.1A
3.7A
BOTTOM 4.6A
D
Fig 6. Typical On-Resistance Vs. Drain
Current
Fig 7. Typical On-Resistance Vs. Gate
Voltage
-60 -40 -20 0 20 40 60 80 100 120 140 160
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
T , Junction Temperature ( C)
R , Drain-to-Source On Resistance
(Normalized)
J
DS(on)
°
V =
I =
GS
D
10V
7.0A
0.02
0.03
0.04
0.05
0 5 10 15 20 25
R , Drain-to-Source On Resistance
A
I , Drain Current (A)
V = 10V
V = 4.5V
(
Ω
)
DS(on)
D
GS
GS
0
.00
0
.02
0
.04
0
.06
0
.08
0
.10
0
.12
0
.14
3691215
A
I = 7.0A
D
GS
V -Gate-to-Source Voltage (V)
R
DS
(on) , Drain-to-Source On Resistance (Ω)
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