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IRF9Z24NPBF
0.194
IRF9Z24NPBF 数据手册 (9 页)
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IRF9Z24NPBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
-55.0 V
额定电流
-12.0 A
封装
TO-220-3
针脚数
3 Position
漏源极电阻
0.175 Ω
极性
P-Channel
功耗
45 W
零部件系列
IRF9Z24N
漏源极电压(Vds)
55 V
漏源击穿电压
-55.0 V
连续漏极电流(Ids)
-12.0 A
上升时间
55 ns
输入电容值(Ciss)
350pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
45 W
下降时间
37 ns
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
45000 mW

IRF9Z24NPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
材质
Silicon
长度
10.54 mm
高度
15.24 mm
工作温度
-55℃ ~ 175℃

IRF9Z24NPBF 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
9 页 / 0.49 MByte
International Rectifier(国际整流器)
20 页 / 2.6 MByte
International Rectifier(国际整流器)
5 页 / 0.04 MByte

IRF9Z24 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
Vishay Siliconix
Samsung(三星)
Vishay Semiconductor(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
Vishay Intertechnology
Fairchild(飞兆/仙童)
Infineon(英飞凌)
IRF
功率MOSFET POWER MOSFET
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRF9Z24NPBF  晶体管, MOSFET, P沟道, 12 A, -55 V, 0.175 ohm, -10 V, -4 V
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