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IRF9Z34NSTRLPBF 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

TO-263-3

描述:

单 P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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IRF9Z34NSTRLPBF 数据手册 (11 页)

封装尺寸在8 页 9 页

IRF9Z34NSTRLPBF 数据手册 (11 页)

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IRF9Z34NSTRLPBF 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

-55.0 V

额定电流

-19.0 A

封装

TO-263-3

额定功率

3.8 W

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.1 Ω

极性

P-Channel

功耗

3.8 W

零部件系列

IRF9Z34NS

阈值电压

4 V

漏源极电压(Vds)

55 V

连续漏极电流(Ids)

19.0 A, -19.0 A

上升时间

55 ns

输入电容值(Ciss)

620pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

3.8 W

下降时间

41 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

3.8W (Ta), 68W (Tc)

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IRF9Z34NSTRLPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

材质

Silicon

工作温度

-55℃ ~ 175℃ (TJ)

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IRF9Z34NSTRLPBF 符合标准

IRF9Z34NSTRLPBF 数据手册

Infineon（英飞凌）

11 页 / 1.07 MByte

IRF9Z34NSTRLPBF 产品设计参考手册

Infineon（英飞凌）

270 页 / 11.59 MByte

IRF9Z34NSTRLPBF 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

27 页 / 0.3 MByte

IRF9Z34NSTRLPBF 产品设计图

Infineon（英飞凌）

2 页 / 0.17 MByte

IRF9Z34NSTRLPBF 开发手册

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37 页 / 2.01 MByte

IRF9Z34NSTRLPBF 产品修订记录

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