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IRF9Z34PBF 数据手册 - Vishay Semiconductor（威世）

制造商:

Vishay Semiconductor（威世）

分类:

MOS管

封装:

TO-220-3

描述:

VISHAY IRF9Z34PBF 场效应管, MOSFET, P沟道

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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IRF9Z34PBF 数据手册 (9 页)

封装尺寸在8 页

IRF9Z34PBF 数据手册 (9 页)

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IRF9Z34PBF 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-220-3

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.14 Ω

极性

P-Channel

功耗

88 W

漏源极电压(Vds)

60 V

连续漏极电流(Ids)

-18.0 A

输入电容值(Ciss)

1100pF @25V(Vds)

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

88000 mW

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IRF9Z34PBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

包装方式

Tube

长度

10.41 mm

宽度

4.7 mm

高度

15.49 mm

工作温度

-55℃ ~ 175℃

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IRF9Z34PBF 符合标准

IRF9Z34PBF 数据手册

Vishay Semiconductor（威世）

9 页 / 0.26 MByte

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