￥ 0.673

IRFB3207PBF 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

TO-220-3

描述:

N沟道 75 V 300 W 180 nC 功率Mosfet 法兰安装 - TO-220AB

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

IRFB3207PBF 数据手册 (12 页)

封装尺寸在8 页 9 页 10 页

IRFB3207PBF 数据手册 (12 页)

查看文档

或点击图片查看大图

IRFB3207PBF 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-220-3

额定功率

330 W

漏源极电阻

0.0036 Ω

极性

N-Channel

功耗

300 W

阈值电压

4 V

输入电容

7600 pF

漏源极电压(Vds)

75 V

漏源击穿电压

75 V

连续漏极电流(Ids)

170A

上升时间

120 ns

输入电容值(Ciss)

7600pF @50V(Vds)

下降时间

74 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

330W (Tc)

查看数据手册 >

IRFB3207PBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Rail, Tube

长度

10.66 mm

宽度

22.86 mm

高度

4.82 mm

工作温度

-55℃ ~ 175℃ (TJ)

查看数据手册 >

IRFB3207PBF 符合标准

IRFB3207PBF 概述

IRFB3207PBF 数据手册

Infineon（英飞凌）

12 页 / 0.37 MByte

IRFB3207PBF 产品设计参考手册

Infineon（英飞凌）

270 页 / 11.59 MByte

IRFB3207PBF 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

30 页 / 0.64 MByte

IRFB3207PBF 产品设计图

Infineon（英飞凌）

2 页 / 0.17 MByte

IRFB3207PBF 开发手册

Infineon（英飞凌）

37 页 / 2.01 MByte

IRFB3207PBF 产品修订记录

Infineon（英飞凌）

5 页 / 0.05 MByte

IRFB3207PBF 其他参考文件

Infineon（英飞凌）

1 页 / 0.14 MByte

IRFB3207 数据手册

International Rectifier（国际整流器）

IRFB3207 数据手册

Infineon（英飞凌）

IRFB3207 数据手册

IRF

HEXFET功率MOSFET HEXFET Power MOSFET

IRFB3207ZPBF 数据手册

Infineon（英飞凌）

INFINEON IRFB3207ZPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 170 A, 75 V, 4.1 mohm, 10 V, 4 V

IRFB3207PBF 数据手册

Infineon（英飞凌）

N沟道 75 V 300 W 180 nC 功率Mosfet 法兰安装 - TO-220AB

IRFB3207PBF 数据手册

International Rectifier（国际整流器）

N沟道,75V,180A,4.5mΩ@10V

IRFB3207ZGPBF 数据手册

Infineon（英飞凌）

INFINEON IRFB3207ZGPBF 场效应管, MOSFET, 75V, 210A, TO-220AB

IRFB3207ZPBF 数据手册

International Rectifier（国际整流器）

N沟道,75V,170A,4.1mΩ@10V

IRFB3207ZGPBF 数据手册

International Rectifier（国际整流器）

IRFB3207ZG 数据手册

International Rectifier（国际整流器）

器件 Datasheet 文档搜索

AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

热门型号