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IRFBC20L
0.262
IRFBC20L 数据手册 (8 页)
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IRFBC20L 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
封装
TO-262
极性
N-CH
漏源极电压(Vds)
600 V
连续漏极电流(Ids)
2.2A
输入电容值(Ciss)
350pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
3.1 W

IRFBC20L 数据手册

VISHAY(威世)
8 页 / 0.94 MByte
VISHAY(威世)
9 页 / 1.6 MByte

IRFBC20 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
Vishay Siliconix
Vishay Semiconductor(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
IRF
功率MOSFET ( VDSS = 600V , RDS(ON) = 4.4ohm ,ID = 2.2A ) Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)=4.4ohm, Id=2.2A)
VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  IRFBC20PBF  场效应管, MOSFET, N沟道, 50W, TO-220AB
VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
International Rectifier(国际整流器)
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