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IRFB3307ZPBF
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IRFB3307ZPBF 数据手册 (11 页)
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IRFB3307ZPBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
75.0 V
额定电流
120 A
封装
TO-220-3
漏源极电阻
5.8 mΩ
极性
N-Channel
功耗
230 W
零部件系列
IRFB3307Z
阈值电压
4 V
输入电容
4.75 nF
栅电荷
110 nC
漏源极电压(Vds)
75 V
连续漏极电流(Ids)
120 A
输入电容值(Ciss)
4750pF @50V(Vds)
额定功率(Max)
230 W
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃

IRFB3307ZPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
工作温度
-55℃ ~ 175℃

IRFB3307ZPBF 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
11 页 / 0.44 MByte
International Rectifier(国际整流器)
1 页 / 0.09 MByte

IRFB3307 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
IRF
HEXFET功率MOSFET HEXFET Power MOSFET
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRFB3307ZPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 120 A, 75 V, 5.8 mohm, 10 V, 4 V
International Rectifier(国际整流器)
75V,5.8mΩ,120A,N沟道功率MOSFET
Infineon(英飞凌)
HEXFET® N 通道功率 MOSFET 超过 55A,Infineon
International Rectifier(国际整流器)
International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
N 沟道 75 V 230 W 79 nC 功率 MosFet 法兰安装 - TO-220AB-3
International Rectifier(国际整流器)
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