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IRFBC30PBF
0.742
IRFBC30PBF 数据手册 (9 页)
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IRFBC30PBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
封装
TO-220-3
漏源极电阻
2.2 Ω
功耗
74000 mW
阈值电压
4 V
漏源极电压(Vds)
600 V
上升时间
13 ns
输入电容值(Ciss)
660pF @25V(Vds)
下降时间
14 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
55 ℃
耗散功率(Max)
74W (Tc)

IRFBC30PBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown
包装方式
Tube
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

IRFBC30PBF 数据手册

Vishay Siliconix
9 页 / 1.83 MByte
Vishay Siliconix
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Vishay Siliconix
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IRFBC30 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
N - CHANNEL 600V - 1.8欧姆 - 3.6A - TO- 220的PowerMESH ] II MOSFET N - CHANNEL 600V - 1.8 ohm - 3.6A - TO-220 PowerMESH]II MOSFET
VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
International Rectifier(国际整流器)
Vishay Siliconix
Vishay Semiconductor(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  IRFBC30PBF  场效应管, MOSFET, N沟道
International Rectifier(国际整流器)
N沟道,600V,3.6A,2.2Ω@10V
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