￥ 1.027

IRFIB6N60APBF 数据手册 - Vishay Semiconductor（威世）

制造商:

Vishay Semiconductor（威世）

分类:

中高压MOS管

封装:

TO-220-3

描述:

VISHAY IRFIB6N60APBF. 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 5.5 A, 600 V, 750 mohm, 10 V, 4 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

IRFIB6N60APBF 数据手册 (9 页)

查看文档

或点击图片查看大图

IRFIB6N60APBF 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-220-3

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.75 Ω

极性

N-Channel

功耗

60 W

阈值电压

4 V

漏源极电压(Vds)

600 V

连续漏极电流(Ids)

5.50 A

输入电容值(Ciss)

1400pF @25V(Vds)

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

60 W

查看数据手册 >

IRFIB6N60APBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

包装方式

Tube

长度

10.41 mm

宽度

4.7 mm

高度

9.8 mm

查看数据手册 >

IRFIB6N60APBF 符合标准

IRFIB6N60APBF 数据手册

Vishay Semiconductor（威世）

9 页 / 0.15 MByte

IRFIB6N60APBF 其他数据使用手册

Vishay Semiconductor（威世）

20 页 / 2.6 MByte

IRFIB6N60 数据手册

IRFIB6N60APBF 数据手册

VISHAY（威世）

单 N 沟道 600 V 0.75 Ohms 法兰安装功率 Mosfet - TO-220FP

IRFIB6N60APBF 数据手册

Vishay Semiconductor（威世）

VISHAY IRFIB6N60APBF. 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 5.5 A, 600 V, 750 mohm, 10 V, 4 V

IRFIB6N60A 数据手册

International Rectifier（国际整流器）

IRFIB6N60APBF 数据手册

International Rectifier（国际整流器）

IRFIB6N60APBF 数据手册

Vishay Siliconix

IRFIB6N60A 数据手册

Vishay Semiconductor（威世）

IRFIB6N60A 数据手册

Vishay Siliconix

IRFIB6N60APBF 数据手册

Vishay Intertechnology

IRFIB6N60A 数据手册

IRF

功率MOSFET （ VDSS = 600V ， RDS（ON）最大值= 0.75ohm ，ID = 5.5A ） Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)max=0.75ohm, Id=5.5A)

器件 Datasheet 文档搜索

AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

热门型号