￥ 13.721

JAN2N3439 数据手册 - Microsemi（美高森美）

制造商:

Microsemi（美高森美）

分类:

双极性晶体管

封装:

TO-39-3

描述:

此系列高频，外延平面型晶体管具有低饱和电压。 This family of high-frequency, epitaxial planar transistors feature low saturation voltage.

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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JAN2N3439 数据手册 (6 页)

封装尺寸在2 页 6 页

JAN2N3439 数据手册 (6 页)

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JAN2N3439 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

频率

40 MHz

引脚数

3 Pin

封装

TO-39-3

功耗

800 mW

击穿电压(集电极-发射极)

350 V

最小电流放大倍数

40 @20mA, 10V

最大电流放大倍数

160 @20mA, 10V

额定功率(Max)

800 mW

工作温度(Max)

200 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

800 mW

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JAN2N3439 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Bulk

材质

Silicon

工作温度

-65℃ ~ 200℃ (TJ)

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JAN2N3439 符合标准

JAN2N3439 海关信息

JAN2N3439 数据手册

Microsemi（美高森美）

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