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IRFP250MPBF
0.478
IRFP250MPBF 数据手册 (8 页)
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IRFP250MPBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-247-3
极性
N-Channel
功耗
214 W
零部件系列
IRFP250M
漏源极电压(Vds)
200 V
输入电容值(Ciss)
2159pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
214 W

IRFP250MPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube

IRFP250MPBF 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
8 页 / 0.62 MByte
International Rectifier(国际整流器)
8 页 / 0.24 MByte

IRFP250 数据手册

IXYS Semiconductor
ST Microelectronics(意法半导体)
N沟道200V - 0.073ohm - 33A TO- 247的PowerMESH II MOSFET N-CHANNEL 200V - 0.073ohm - 33A TO-247 PowerMesh II MOSFET
International Rectifier(国际整流器)
VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
Vishay Semiconductor(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
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200V N沟道MOSFET 200V N-Channel MOSFET
Infineon(英飞凌)
Samsung(三星)
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