Web Analytics
Datasheet 搜索 > MOS管 > Vishay Siliconix > IRFP250PBF Datasheet 文档
IRFP250PBF
1.907
IRFP250PBF 数据手册 (9 页)
查看文档
或点击图片查看大图

IRFP250PBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
封装
TO-247-3
功耗
190W (Tc)
漏源极电压(Vds)
200 V
输入电容值(Ciss)
2800pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
190 W
耗散功率(Max)
190W (Tc)

IRFP250PBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

IRFP250PBF 数据手册

Vishay Siliconix
9 页 / 1.42 MByte
Vishay Siliconix
9 页 / 1.42 MByte
Vishay Siliconix
1 页 / 0.12 MByte

IRFP250 数据手册

IXYS Semiconductor
ST Microelectronics(意法半导体)
N沟道200V - 0.073ohm - 33A TO- 247的PowerMESH II MOSFET N-CHANNEL 200V - 0.073ohm - 33A TO-247 PowerMesh II MOSFET
International Rectifier(国际整流器)
VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
Vishay Semiconductor(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
Fairchild(飞兆/仙童)
200V N沟道MOSFET 200V N-Channel MOSFET
Infineon(英飞凌)
Samsung(三星)
Intersil(英特矽尔)
器件 Datasheet 文档搜索
器件加载中...
AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册,每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

关联文档: IRFP250 数据手册
BOM选型工具
智能匹配型号
推荐替代方案
预警生产风险
计算采购成本
上传BOM文件
文件格式:*.xlsx,*.xls,*csv
Gerber文件查看器
15秒快速建模
预览PCB成品
支持40种板层
预检生产问题
上传Gerber文件
支持标准RS-274X文件,接受zip、rar、7z