￥ 1.25

IRFP250N 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

TO-247

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

IRFP250N 数据手册 (8 页)

封装尺寸在8 页

IRFP250N 数据手册 (8 页)

查看文档

或点击图片查看大图

IRFP250N 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

200 V

额定电流

30.0 A

封装

TO-247

漏源极电阻

75.0 mΩ

极性

N-Channel

功耗

214 W

零部件系列

IRFP250N

漏源极电压(Vds)

200 V

漏源击穿电压

200V (min)

栅源击穿电压

±20.0 V

连续漏极电流(Ids)

30.0 A

上升时间

43 ns

输入电容值(Ciss)

2159pF @25V(Vds)

下降时间

33 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

214000 mW

查看数据手册 >

IRFP250N 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

材质

Silicon

查看数据手册 >

IRFP250N 符合标准

IRFP250N 数据手册

Infineon（英飞凌）

8 页 / 0.17 MByte

IRFP250N 产品设计参考手册

Infineon（英飞凌）

270 页 / 11.59 MByte

IRFP250N 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

30 页 / 0.64 MByte

IRFP250N 开发手册

Infineon（英飞凌）

37 页 / 2.01 MByte

IRFP250N 产品手册

Infineon（英飞凌）

8 页 / 0.11 MByte

IRFP250 数据手册

IXYS Semiconductor

IRFP250 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

N沟道200V - 0.073ohm - 33A TO- 247的PowerMESH II MOSFET N-CHANNEL 200V - 0.073ohm - 33A TO-247 PowerMesh II MOSFET

IRFP250 数据手册

International Rectifier（国际整流器）

IRFP250 数据手册

VISHAY（威世）

功率MOSFET Power MOSFET

IRFP250 数据手册

Vishay Semiconductor（威世）

功率MOSFET Power MOSFET

IRFP250 数据手册

Fairchild（飞兆/仙童）

200V N沟道MOSFET 200V N-Channel MOSFET

Infineon（英飞凌）

Samsung（三星）

Harris

Intersil（英特矽尔）

器件 Datasheet 文档搜索

AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

热门型号