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IRFP250 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

MOS管

封装:

TO-247-3

描述:

N沟道200V - 0.073ohm - 33A TO- 247的PowerMESH II MOSFET N-CHANNEL 200V - 0.073ohm - 33A TO-247 PowerMesh II MOSFET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

IRFP250 数据手册 (8 页)

原理图在1 页

IRFP250 数据手册 (8 页)

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IRFP250 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

额定电压(DC)

200 V

额定电流

33.0 A

封装

TO-247-3

漏源极电阻

85.0 mΩ

极性

N-Channel

功耗

180W (Tc)

输入电容

2.60 nF

栅电荷

120 nC

漏源极电压(Vds)

200 V

漏源击穿电压

200 V

栅源击穿电压

±20.0 V

连续漏极电流(Ids)

33.0 A

输入电容值(Ciss)

2850pF @25V(Vds)

耗散功率(Max)

180W (Tc)

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IRFP250 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Unknown

包装方式

Tube

工作温度

150℃ (TJ)

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IRFP250 符合标准

IRFP250 概述

IRFP250 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

8 页 / 0.26 MByte

IRFP250 其他数据使用手册

ST Microelectronics（意法半导体）

9 页 / 0.17 MByte

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