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IRFR110PBF 数据手册 - Vishay Semiconductor（威世）

制造商:

Vishay Semiconductor（威世）

分类:

MOS管

封装:

TO-252

描述:

N 通道 MOSFET，100V 至 150V，Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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IRFR110PBF 数据手册 (11 页)

封装尺寸在8 页 9 页

IRFR110PBF 数据手册 (11 页)

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IRFR110PBF 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

100 V

额定电流

4.70 A

封装

TO-252

额定功率

25 W

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.54 Ω

极性

N-Channel

功耗

25 W

阈值电压

4 V

输入电容

180pF @25V

漏源极电压(Vds)

100 V

漏源击穿电压

100 V

连续漏极电流(Ids)

4.30 A

上升时间

16.0 ns

输入电容值(Ciss)

180pF @25V(Vds)

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

2.5 W

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IRFR110PBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

包装方式

Tube

长度

6.73 mm

宽度

6.22 mm

高度

2.39 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃

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IRFR110PBF 符合标准

IRFR110PBF 数据手册

Vishay Semiconductor（威世）

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