￥ 0.083

IRFR120ZPBF 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

TO-252-3

描述:

INFINEON IRFR120ZPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 8.7 A, 100 V, 190 mohm, 10 V, 4 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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IRFR120ZPBF 数据手册 (11 页)

封装尺寸在9 页 10 页

IRFR120ZPBF 数据手册 (11 页)

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IRFR120ZPBF 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

TO-252-3

额定功率

35 W

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.19 Ω

极性

N-CH

功耗

35 W

阈值电压

4 V

漏源极电压(Vds)

100 V

连续漏极电流(Ids)

8.7A

上升时间

26 ns

输入电容值(Ciss)

310pF @25V(Vds)

下降时间

23 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

35W (Tc)

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IRFR120ZPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Not Recommended for New Designs

包装方式

Tube

材质

Silicon

长度

6.73 mm

宽度

6.22 mm

高度

2.39 mm

工作温度

-55℃ ~ 175℃ (TJ)

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IRFR120ZPBF 符合标准

IRFR120ZPBF 概述

IRFR120ZPBF 数据手册

Infineon（英飞凌）

11 页 / 0.31 MByte

IRFR120ZPBF 产品设计参考手册

Infineon（英飞凌）

270 页 / 11.59 MByte

IRFR120ZPBF 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

30 页 / 0.64 MByte

IRFR120ZPBF 产品设计图

Infineon（英飞凌）

2 页 / 0.17 MByte

IRFR120ZPBF 开发手册

Infineon（英飞凌）

37 页 / 2.01 MByte

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