Web Analytics
Datasheet 搜索 > MOS管 > VISHAY(威世) > IRFR120PBF Datasheet 文档
IRFR120PBF
0.518
IRFR120PBF 数据手册 (11 页)
查看文档
或点击图片查看大图

IRFR120PBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
TO-252-3
针脚数
3 Position
漏源极电阻
270 mΩ
极性
N-Channel
功耗
2.5 W
阈值电压
4 V
漏源极电压(Vds)
100 V
连续漏极电流(Ids)
7.70 A
上升时间
27 ns
输入电容值(Ciss)
360pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
2.5 W
下降时间
17 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
2.5W (Ta), 42W (Tc)

IRFR120PBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
长度
6.73 mm
宽度
6.22 mm
高度
2.39 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃
最小包装数量
2000

IRFR120PBF 数据手册

VISHAY(威世)
11 页 / 0.8 MByte
VISHAY(威世)
11 页 / 0.78 MByte
VISHAY(威世)
2 页 / 0.15 MByte

IRFR120 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
Vishay Siliconix
Fairchild(飞兆/仙童)
N沟道 100V 7.7A
Intersil(英特矽尔)
8.4A , 100V , 0.270 Ohm的N通道功率MOSFET 8.4A, 100V, 0.270 Ohm, N-Channel Power MOSFETs
VISHAY(威世)
Vishay Semiconductor(威世)
Vishay Intertechnology
Infineon(英飞凌)
Samsung(三星)
器件 Datasheet 文档搜索
器件加载中...
AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册,每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

关联文档: IRFR120 数据手册
BOM选型工具
智能匹配型号
推荐替代方案
预警生产风险
计算采购成本
上传BOM文件
文件格式:*.xlsx,*.xls,*csv
Gerber文件查看器
15秒快速建模
预览PCB成品
支持40种板层
预检生产问题
上传Gerber文件
支持标准RS-274X文件,接受zip、rar、7z