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IRFR120TRLPBF
0.65
IRFR120TRLPBF 数据手册 (8 页)
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IRFR120TRLPBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
TO-252-3
漏源极电阻
270 mΩ
极性
N-Channel
功耗
2.5 W
漏源极电压(Vds)
100 V
连续漏极电流(Ids)
7.70 A
上升时间
27 ns
输入电容值(Ciss)
360pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
2.5 W
下降时间
17 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
2500 mW

IRFR120TRLPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)
最小包装数量
2000

IRFR120TRLPBF 数据手册

VISHAY(威世)
8 页 / 1.88 MByte
VISHAY(威世)
11 页 / 0.78 MByte

IRFR120 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
Vishay Siliconix
Fairchild(飞兆/仙童)
N沟道 100V 7.7A
Intersil(英特矽尔)
8.4A , 100V , 0.270 Ohm的N通道功率MOSFET 8.4A, 100V, 0.270 Ohm, N-Channel Power MOSFETs
VISHAY(威世)
Vishay Semiconductor(威世)
Vishay Intertechnology
Infineon(英飞凌)
Samsung(三星)
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