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IRFR3710Z
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IRFR3710Z数据手册
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IRFR/U3710Z
www.irf.com 3
Fig 2. Typical Output CharacteristicsFig 1. Typical Output Characteristics
Fig 3. Typical Transfer Characteristics
Fig 4. Typical Forward Transconductance
vs. Drain Current
0.1 1 10 100
V
DS
, Drain-to-Source Voltage (V)
1
10
100
1000
I
D
,
D
r
a
i
n
-
t
o
-
S
o
u
r
c
e
C
u
r
r
e
n
t
(
A
)
VGS
TOP 15V
10V
6.0V
5.0V
4.8V
4.5V
4.3V
BOTTOM 4.0V
60µs PULSE WIDTH
Tj = 25°C
4.0V
0.1 1 10 100
V
DS
, Drain-to-Source Voltage (V)
0.1
1
10
100
1000
I
D
,
D
r
a
i
n
-
t
o
-
S
o
u
r
c
e
C
u
r
r
e
n
t
(
A
)
60µs PULSE WIDTH
Tj = 175°C
4.0V
VGS
TOP 15V
10V
6.0V
5.0V
4.8V
4.5V
4.3V
BOTTOM 4.0V
2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16
V
GS
, Gate-to-Source Voltage (V)
1.0
10
100
1000
I
D
,
D
r
a
i
n
-
t
o
-
S
o
u
r
c
e
C
u
r
r
e
n
t
(
Α
)
T
J
= 25°C
T
J
= 175°C
V
DS
= 25V
60µs PULSE WIDTH
0 1020304050607080
I
D
,Drain-to-Source Current (A)
0
20
40
60
80
100
G
f
s
,
F
o
r
w
a
r
d
T
r
a
n
s
c
o
n
d
u
c
t
a
n
c
e
(
S
)
T
J
= 25°C
T
J
= 175°C
V
DS
= 10V

IRFR3710Z 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
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IRFR3710 数据手册

Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRFR3710ZTRPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 42 A, 100 V, 0.015 ohm, 10 V, 4 V
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRFR3710ZPBF.  晶体管, MOSFET, N沟道, 42 A, 100 V, 18 mohm, 10 V, 4 V
International Rectifier(国际整流器)
MOS(场效应管)/IRFR3710ZTRPBF
Infineon(英飞凌)
晶体管, MOSFET, N沟道, 42 A, 100 V, 0.015 ohm, 10 V, 4 V
Infineon(英飞凌)
International Rectifier(国际整流器)
International Rectifier(国际整流器)
100V,42A,N沟道MOSFET
International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
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