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IRFR3710ZPBF
0.391
IRFR3710ZPBF 数据手册 (12 页)
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IRFR3710ZPBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
TO-252-3
额定功率
140 W
针脚数
3 Position
漏源极电阻
0.018 Ω
极性
N-CH
功耗
140 W
阈值电压
4 V
输入电容
2930pF @25V
漏源极电压(Vds)
100 V
漏源击穿电压
100 V
连续漏极电流(Ids)
56A
上升时间
43 ns
输入电容值(Ciss)
2930pF @25V(Vds)
下降时间
42 ns
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
140W (Tc)

IRFR3710ZPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Not Recommended for New Designs
包装方式
Tube
材质
Silicon
长度
6.73 mm
宽度
6.22 mm
高度
2.39 mm
工作温度
-55℃ ~ 175℃ (TJ)

IRFR3710ZPBF 数据手册

Infineon(英飞凌)
12 页 / 0.35 MByte
Infineon(英飞凌)
270 页 / 11.59 MByte
Infineon(英飞凌)
30 页 / 0.64 MByte
Infineon(英飞凌)
2 页 / 0.17 MByte
Infineon(英飞凌)
37 页 / 2.01 MByte

IRFR3710 数据手册

Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRFR3710ZTRPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 42 A, 100 V, 0.015 ohm, 10 V, 4 V
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRFR3710ZPBF.  晶体管, MOSFET, N沟道, 42 A, 100 V, 18 mohm, 10 V, 4 V
International Rectifier(国际整流器)
MOS(场效应管)/IRFR3710ZTRPBF
Infineon(英飞凌)
晶体管, MOSFET, N沟道, 42 A, 100 V, 0.015 ohm, 10 V, 4 V
Infineon(英飞凌)
International Rectifier(国际整流器)
International Rectifier(国际整流器)
100V,42A,N沟道MOSFET
International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
International Rectifier(国际整流器)
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