Web Analytics
Datasheet 搜索 > MOS管 > Infineon(英飞凌) > IRLL014N Datasheet 文档
IRLL014N
0.085
IRLL014N 数据手册 (9 页)
查看文档
或点击图片查看大图

IRLL014N 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
4 Pin
额定电压(DC)
55.0 V
额定电流
2.00 A
封装
SOT-223
极性
N-Channel
功耗
2.10 W
零部件系列
IRLL014N
漏源极电压(Vds)
55.0 V
漏源击穿电压
55.0V (min)
连续漏极电流(Ids)
2.00 A
上升时间
4.9 ns
输入电容值(Ciss)
230pF @25V(Vds)
下降时间
2.9 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
2100 mW

IRLL014N 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
材质
Silicon

IRLL014N 数据手册

Infineon(英飞凌)
9 页 / 0.15 MByte
Infineon(英飞凌)
270 页 / 11.59 MByte
Infineon(英飞凌)
30 页 / 0.64 MByte
Infineon(英飞凌)
37 页 / 2.01 MByte

IRLL014 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
Vishay Siliconix
VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
Vishay Intertechnology
Vishay Semiconductor(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRLL014NTRPBF  晶体管, MOSFET, HEXFET, N沟道, 2 A, 55 V, 140 mohm, 10 V, 2 V
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRLL014NPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 2 A, 55 V, 140 mohm, 10 V, 2 V
International Rectifier(国际整流器)
INTERNATIONAL RECTIFIER  IRLL014NTRPBF  场效应管, MOSFET, N沟道 2A
VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
器件 Datasheet 文档搜索
器件加载中...
AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册,每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

关联文档: IRLL014 数据手册
BOM选型工具
智能匹配型号
推荐替代方案
预警生产风险
计算采购成本
上传BOM文件
文件格式:*.xlsx,*.xls,*csv
Gerber文件查看器
15秒快速建模
预览PCB成品
支持40种板层
预检生产问题
上传Gerber文件
支持标准RS-274X文件,接受zip、rar、7z