￥ 0.252

IRLL014NTR 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

TO-261-4

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

IRLL014NTR 数据手册 (9 页)

封装尺寸在8 页

IRLL014NTR 数据手册 (9 页)

查看文档

或点击图片查看大图

IRLL014NTR 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

额定电压(DC)

55.0 V

额定电流

2.00 A

封装

TO-261-4

极性

N-CH

功耗

1W (Ta)

零部件系列

IRLL014N

漏源极电压(Vds)

55 V

连续漏极电流(Ids)

2.00 A

上升时间

4.90 ns

输入电容值(Ciss)

230pF @25V(Vds)

耗散功率(Max)

1W (Ta)

查看数据手册 >

IRLL014NTR 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

End of Life

包装方式

Tape

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

查看数据手册 >

IRLL014NTR 符合标准

IRLL014NTR 概述

IRLL014NTR 数据手册

Infineon（英飞凌）

9 页 / 0.15 MByte

IRLL014NTR 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

10 页 / 0.25 MByte

IRLL014 数据手册

International Rectifier（国际整流器）

IRLL014 数据手册

Vishay Siliconix

IRLL014 数据手册

VISHAY（威世）

功率MOSFET Power MOSFET

IRLL014 数据手册

Vishay Intertechnology

IRLL014 数据手册

Vishay Semiconductor（威世）

功率MOSFET Power MOSFET

IRLL014 数据手册

Infineon（英飞凌）

IRLL014NTRPBF 数据手册

Infineon（英飞凌）

INFINEON IRLL014NTRPBF 晶体管, MOSFET, HEXFET, N沟道, 2 A, 55 V, 140 mohm, 10 V, 2 V

IRLL014NPBF 数据手册

Infineon（英飞凌）

INFINEON IRLL014NPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 2 A, 55 V, 140 mohm, 10 V, 2 V

IRLL014NTRPBF 数据手册

International Rectifier（国际整流器）

INTERNATIONAL RECTIFIER IRLL014NTRPBF 场效应管, MOSFET, N沟道 2A

IRLL014TRPBF 数据手册

VISHAY（威世）

功率MOSFET Power MOSFET

器件 Datasheet 文档搜索

AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

热门型号